Métodos para avaliar a condição dos componentes com um multímetro:
1. Detecção de diodos comuns
Meça com um multímetro MF47, conecte as pontas de prova vermelha e preta em ambas as extremidades do diodo, leia a leitura e depois troque as pontas de prova para medição. Com base nos resultados de duas medições, o valor da resistência direta dos diodos de germânio de baixa{2}}potência é geralmente 300-500 Ω, enquanto o dos diodos de silício é de cerca de 1k Ω ou mais. A resistência reversa do tubo de germânio é de várias dezenas de quiloohms, e a resistência reversa do tubo de silício está acima de 500k Ω (o valor do diodo de alta potência é muito menor). Um bom diodo tem uma resistência direta baixa e uma resistência reversa alta, e quanto maior a diferença na resistência direta e reversa, melhor. Se a resistência direta e reversa medida for muito pequena e próxima de zero, indica que o diodo está em curto-circuito internamente; Se a resistência direta e reversa for muito alta ou tende ao infinito, indica que há um circuito aberto dentro do tubo. Em ambos os casos, o diodo precisa ser descartado.
Em testes de estrada: Testar a resistência direta e reversa da junção pn do diodo torna mais fácil determinar se o diodo está passando por um curto-circuito ou um circuito aberto.
2. Detecção de junção Pn
Coloque o multímetro digital no modo diodo e meça a junção pn com a ponta de prova. Se estiver conduzindo na direção direta, o número exibido será a queda de tensão direta da junção pn. Primeiro, determine os eletrodos coletor e emissor; Meça a queda de tensão direta de duas junções pn com uma ponta de prova. O emissor apresenta a maior queda de tensão, enquanto o coletor apresenta a menor queda de tensão. Ao testar as duas junções, se a ponta de prova vermelha estiver conectada ao eletrodo comum, o transistor testado é do tipo npn, e a ponta de prova vermelha está conectada à base b. Se a sonda preta estiver conectada ao eletrodo comum, o transistor testado é do tipo pnp, e esse eletrodo é a base b. Após o transistor ser danificado, a junção pn pode apresentar duas situações: quebra, curto-circuito e circuito aberto.
Teste de circuito: O teste de circuito de um transistor é realmente realizado testando a resistência direta e reversa da junção pn para determinar se o transistor está danificado. A resistência do ramo é maior que a resistência direta da junção pn. Normalmente, deve haver uma diferença significativa na resistência direta e reversa medida, caso contrário, a junção pn será danificada. Quando a resistência do ramal é menor que a resistência direta da junção pn, o ramal deve ser desconectado, caso contrário a qualidade do transistor não pode ser determinada.
3. Detecção de módulo de ponte retificadora trifásica
Tomando como exemplo o módulo ponte retificadora Semikron, conforme mostrado na figura anexa. Defina o multímetro digital para o modo de teste de diodo, conecte a ponta de prova preta a com e a ponta de prova vermelha a v ω e use as pontas de prova vermelha e preta para medir as características direta e reversa do diodo entre as fases 3, 4 e 5 e os pólos 2 e 1, respectivamente, para verificar e determinar se a ponte retificadora está intacta. Quanto maior a diferença nas características positivas e negativas medidas, melhor; Se as direções direta e reversa forem zero, indica que a fase detectada foi quebrada e em curto-circuito; Se as direções direta e reversa forem infinitas, isso indica que a fase detectada foi desconectada. Se uma fase do módulo da ponte retificadora estiver danificada, ela deverá ser substituída.
4. Detecção do módulo IGBT do inversor
Defina o multímetro digital para o modo de teste de diodo e teste as características direta e reversa do diodo entre os módulos IGBT c1. e1 e c2. e2, bem como entre a porta g e e1, e2, para determinar se o módulo IGBT está intacto.
