Como testar se um transistor de{0}efeito de campo é bom ou ruim com um multímetro
Devido à presença de um diodo de amortecimento entre os pólos D-S dos MOSFETs comumente usados, o desempenho dos MOSFETs pode ser determinado usando o nível do diodo de um multímetro digital para detectar a queda de tensão do diodo entre os pólos D-S. O método de detecção detalhado é o seguinte.
Gire a chave de engrenagem do multímetro digital para o modo diodo, conecte a ponta de prova vermelha ao pólo S e a ponta de prova preta ao pólo D. Neste momento, a tela do multímetro exibirá o valor da queda de tensão do diodo entre os pólos D-S. O valor de queda de tensão de transistores de efeito de-campo de alta potência-geralmente está entre 0,4 e 0,8 V (principalmente em torno de 0,6 V); Não deve haver queda de tensão entre a ponta de prova preta conectada ao pólo S, a ponta de prova vermelha conectada ao pólo D e o pólo G e outros pinos (por exemplo, em um transistor de efeito de campo-de canal N-canal, um transistor de efeito de campo-de canal P-deve ter um valor de queda de tensão quando a ponta de prova vermelha estiver conectada ao pólo D e a ponta de prova preta estiver conectada ao pólo S). Pelo contrário, indica que o transistor de efeito de campo foi danificado.
Os transistores de efeito de campo geralmente são danificados por quebra e os pinos geralmente estão em estado de curto-circuito. Portanto, a queda de tensão entre os pinos também deverá ser OV. Após cada medição de um transistor de efeito de campo MOS, uma pequena quantidade de carga será carregada no capacitor de junção G-S, estabelecendo uma tensão UGS. Ao medir novamente, os pinos podem não se mover (se usar um multímetro digital, o erro de medição será grande). Neste momento, provoque um curto-circuito nos pólos G-S brevemente.
O dano dos transistores de efeito de campo geralmente é causado por quebra e curto-circuito. Neste momento, medindo com multímetro, os pinos geralmente estão interligados. Depois que o transistor de efeito de campo é danificado, geralmente não há danos óbvios na aparência. Para transistores de efeito de campo gravemente danificados por sobrecorrente,-ele pode explodir.
