Técnicas e métodos para medir transistores com multímetro
Discriminação de eletrodos de transistor e tipos de tubos
(1) Método de inspeção visual
① Identificação do tipo de tubo
Geralmente, se o tipo de tubo é NPN ou PNP deve ser diferenciado pelo modelo marcado no revestimento do tubo. De acordo com as normas ministeriais, o segundo dígito (letra) do modelo do transistor, A e C representam tubos PNP, B e D representam tubos NPN, por exemplo:
3AX é um transistor de baixa frequência e baixa potência do tipo PNP e 3BX é um transistor de baixa potência e baixa frequência do tipo NPN
3CG é um transistor de baixa potência de alta frequência do tipo PNP e 3DG é um transistor de baixa potência de alta frequência do tipo NPN
3AD é um transistor de alta potência de baixa frequência do tipo PNP e 3DD é um transistor de alta potência de baixa frequência do tipo NPN
3CA é um transistor de alta frequência e alta potência do tipo PNP e 3DA é um transistor de alta frequência e alta potência do tipo NPN
Além disso, existem válvulas de alta frequência e baixa potência da série 9011-9018 internacionalmente populares, com exceção das válvulas PNP para 9012 e 9015, todas do tipo NPN.
② Discriminação de postes tubulares
Os transistores de potência de pequeno e médio porte comumente usados possuem invólucros circulares de metal e embalagens plásticas (semicilíndricas). A Figura T305 apresenta três formas típicas e métodos de disposição de eletrodos.
(2) Usando um multímetro para determinar a faixa de resistência
Existem duas junções PN dentro do transistor, que podem ser usadas para distinguir os três pólos e, b e c usando uma faixa de resistência do multímetro. No caso de rotulagem de modelo difuso, este método também pode ser usado para distinguir o tipo de tubo.
① Discriminação de base
Ao distinguir o eletrodo do transistor, o eletrodo base deve ser confirmado primeiro. Para tubos NPN, conecte um fio preto à base assumida e um fio vermelho aos outros dois pólos. Se a resistência medida for pequena, será de algumas centenas a vários milhares de ohms; Quando as pontas de prova preta e vermelha são trocadas, a resistência medida é relativamente alta, excedendo várias centenas de quiloohms. Neste ponto, a sonda preta está conectada ao eletrodo base. Tubo PNP, a situação é oposta. Ao medir, quando ambas as junções PN estão polarizadas positivamente, a sonda vermelha é conectada ao eletrodo base.
Na verdade, a base dos transistores de baixa potência geralmente está disposta no meio de três pinos. O método acima pode ser usado para conectar as pontas de prova preta e vermelha à base, respectivamente, o que pode não apenas determinar se as duas junções PN do transistor estão intactas (semelhante ao método de medição para junções PN de diodo), mas também confirmar o tubo tipo.
② Discriminação entre coletor e emissor
Após determinar o eletrodo base, suponha que um dos pinos restantes seja o eletrodo coletor c e o outro seja o eletrodo emissor e. Use os dedos para apertar os eletrodos c e b respectivamente (ou seja, use os dedos para substituir a resistência de base Rb). Ao mesmo tempo, entre em contato com as duas pontas de prova do multímetro com c e e respectivamente. Se o tubo sendo testado for NPN, use uma ponta de prova preta para entrar em contato com o pólo c e uma ponta de prova vermelha para conectar o pólo e (oposto ao tubo PNP), e observe o ângulo de deflexão do ponteiro; Em seguida, defina o outro pino como pólo C, repita o processo acima e compare o ângulo de deflexão do ponteiro medido duas vezes. Quanto maior indica que o IC é grande e o tubo está ampliado. As suposições correspondentes para os pólos c e e estão corretas.
2. Medição simples do desempenho do transistor
(1) Medir o ICEO e
O eletrodo base está aberto e o fio preto do multímetro está conectado ao coletor c do tubo NPN, enquanto o fio vermelho está conectado ao emissor e (oposto ao tubo PNP). Neste momento, um valor de resistência alto entre c e e indica um ICEO baixo, enquanto um valor de resistência baixo indica um ICEO alto.
Substitua a resistência base Rb pelo seu dedo e meça a resistência entre c e e usando o método acima. Se o valor da resistência for muito menor do que quando a base está aberta, indica valor Alto.
(2) Use um multímetro para medir a faixa hFE
Alguns multímetros possuem faixa hFE, e o fator de amplificação da corrente pode ser medido inserindo um transistor de acordo com a polaridade especificada no medidor, se for muito pequeno ou zero, indica que o transistor foi danificado. Duas junções PN podem ser medidas usando uma faixa de resistência para confirmar se há uma falha ou circuito aberto.
3. Seleção de triodos semicondutores
A seleção dos transistores deve primeiro atender aos requisitos dos equipamentos e circuitos e, em segundo lugar, obedecer ao princípio da conservação. De acordo com diferentes finalidades, os seguintes fatores geralmente devem ser considerados: frequência de operação, corrente de coletor, potência dissipada, coeficiente de amplificação de corrente, tensão de ruptura reversa, estabilidade e queda de tensão de saturação. Estes factores têm uma relação mutuamente restritiva e, ao seleccionar a gestão, a principal contradição deve ser compreendida ao mesmo tempo que se consideram os factores secundários.
A frequência característica fT das válvulas de baixa frequência é geralmente inferior a 2,5 MHz, enquanto a fT das válvulas de alta frequência varia de dezenas de MHz a centenas de MHz ou até mais. Ao selecionar tubos, fT deve ser 3-10 vezes a frequência de trabalho. Em princípio, as válvulas de alta frequência podem substituir as válvulas de baixa frequência, mas a potência das válvulas de alta frequência é geralmente relativamente pequena e a faixa dinâmica é estreita. Ao substituir, deve-se prestar atenção às condições de energia.
Esperança geral Escolha um tamanho maior, mas não é necessariamente melhor. Muito alto pode facilmente causar oscilação autoexcitada, quanto mais média. A operação de tubos altos é frequentemente instável e muito afetada pela temperatura. geralmente Múltiplas escolhas entre 40 e 100, mas com tubos de valor de baixo e alto ruído (como 1815, 9011-9015, etc.), A estabilidade da temperatura ainda é boa quando o valor atinge várias centenas. Além disso, para todo o circuito, a seleção também deverá basear-se na coordenação de todos os níveis. Por exemplo, para o estágio anterior Alto, o último nível pode ser usado Tubos inferiores; Pelo contrário, o nível anterior utiliza o nível inferior e pode ser utilizado para fases posteriores, tubos superiores.
A tensão de ruptura reversa UCEO do emissor coletor deve ser selecionada para ser maior que a tensão da fonte de alimentação. Quanto menor for a corrente de penetração, melhor será a estabilidade da temperatura. A estabilidade dos tubos de silício comuns é muito melhor que a dos tubos de germânio, mas a queda de tensão de saturação dos tubos de silício comuns é maior que a dos tubos de germânio, o que pode afetar o desempenho de certos circuitos. Deve ser selecionado de acordo com a situação específica do circuito. Ao selecionar a potência dissipativa dos transistores, deve-se deixar uma certa margem de acordo com os requisitos dos diferentes circuitos.
Para transistores usados em amplificação de alta frequência, amplificação de frequência intermediária, osciladores e outros circuitos, transistores com alta frequência característica fT e pequena capacitância interpolar devem ser selecionados para garantir alto ganho de potência e estabilidade mesmo em altas frequências.
