Estrutura e composição do telêmetro fotoelétrico infravermelho
O telêmetro infravermelho é composto principalmente por uma unidade emissora de luz modulada, uma unidade receptora, uma unidade de medição de fase, uma unidade de contagem e exibição, uma unidade de controle lógico e um conversor de energia. A fonte de luz é geralmente um diodo emissor de luz semicondutor de arsenieto de gálio (GaAs). Quando uma corrente considerável passa pela junção PN do diodo GaAs, a junção PN emitirá luz infravermelha próxima com um comprimento de onda de 0,72 μm e 0,94 μm, devido ao Recombinação elétron-buraco no semicondutor GaAs dopado. , o excesso de energia é liberado na forma de fótons. Além disso, a intensidade da luz emitida irá variar com a corrente de injeção. Portanto, se for usado como fonte de luz do telêmetro, a modulação da amplitude da intensidade da luz emitida pode ser realizada diretamente alterando a magnitude da corrente de alimentação, ou seja, este dispositivo emissor de luz semicondutor tem a dupla função de " radiação" e "modulação".
O dispositivo de conversão de fotodetecção de infravermelho usado para receber luz modulada é geralmente um fotodiodo de silício ou um fotodiodo de avalanche, e esses dispositivos têm um "efeito de fotovoltagem". Quando a luz externa é irradiada em sua junção PN, devido ao efeito da conversão de energia fotoelétrica, uma diferença de potencial pode ser gerada nos dois polos do PN, e sua magnitude mudará com a intensidade da luz incidente, fazendo assim o papel de " demodulação".
