Multímetro - Seleção de Transistores Semicondutores
A seleção dos transistores deve, em primeiro lugar, atender aos requisitos dos equipamentos e circuitos e, em segundo lugar, atender ao princípio da economia. Dependendo da aplicação, os seguintes fatores geralmente devem ser considerados: frequência de operação, corrente de coletor, potência dissipada, fator de amplificação de corrente, tensão de ruptura reversa, queda de tensão de estabilidade e saturação, etc. Durante a eleição e a gestão, devemos compreender as principais contradições e ter em conta os factores secundários.
A frequência característica fT das válvulas de baixa frequência é geralmente inferior a 2,5 MHz, enquanto a fT das válvulas de alta frequência varia de dezenas de MHz a centenas de MHz ou até mais. Ao selecionar o controle, fT deve ser de 3 a 10 vezes a frequência operacional. Em princípio, as válvulas de alta frequência podem substituir as válvulas de baixa frequência, mas a potência das válvulas de alta frequência é geralmente relativamente pequena e a faixa dinâmica é estreita. Preste atenção às condições de energia ao substituir.
Geralmente, esperamos que seja maior, mas maior nem sempre é melhor. Se for muito alto, causará facilmente oscilação autoexcitada, sem falar que geralmente os tubos com alta são instáveis e são muito afetados pela temperatura. Normalmente, o valor está entre 40 e 100, mas para tubos com baixo ruído e alto valor (como 1815, 9011 ~ 9015, etc.), a estabilidade da temperatura ainda é boa quando o valor chega a centenas. Além disso, para todo o circuito, deverá ser selecionado a partir da coordenação de todos os níveis. Por exemplo, se o palco frontal usa um tubo beta alto, o palco traseiro pode usar um tubo beta baixo; inversamente, se o palco frontal usar um tubo beta baixo, o palco traseiro poderá usar um tubo beta alto.
A tensão de ruptura reversa coletor-emissor UCEO deve ser escolhida para ser maior que a tensão de alimentação. Quanto menor for a corrente de penetração, melhor será a estabilidade face à temperatura. A estabilidade dos tubos de silício comuns é muito melhor que a dos tubos de germânio, mas a queda de tensão de saturação dos tubos de silício comuns é maior que a dos tubos de germânio, o que afetará o desempenho do circuito em alguns circuitos. Deve ser selecionado de acordo com as condições específicas do circuito e o consumo do transistor. Ao dissipar energia, deve-se deixar uma certa margem de acordo com os requisitos dos diferentes circuitos.
Para transistores usados em circuitos como amplificação de alta frequência, amplificação de frequência intermediária e osciladores, transistores com alta frequência característica fT e pequena capacitância intereletrodo devem ser selecionados para garantir alto ganho de potência e estabilidade em altas frequências.
