Como julgar a qualidade dos componentes com um multímetro
1. Detecção de diodos comuns
Meça com um multímetro MF47, conecte as sondas vermelhas e pretas às duas extremidades do diodo, leia a leitura e depois troque as sondas para medição. Com base nos resultados de duas medições, o valor de resistência direta dos diodos de germânio de baixa potência é geralmente 300-500 ω, enquanto o dos diodos de silício é de cerca de 1k Ω ou maior. A resistência reversa do tubo de germânio é de várias dezenas de quiloohms, e a resistência reversa do tubo de silício está acima de 500k Ω (o valor do diodo de alta potência é muito menor). Um bom diodo tem uma baixa resistência à frente e uma alta resistência ao reverso, e quanto maior a diferença na resistência à frente e reversa, melhor. Se a resistência à frente e reversa medida for muito pequena e próxima a zero, indica que o diodo é curto circuitado internamente; Se a resistência direta e reversa for muito alta ou tende ao infinito, indica que há um circuito aberto dentro do tubo. Nos dois casos, o diodo precisa ser descartado.
No teste da estrada: testar a resistência direta e reversa da junção PN do diodo facilita a determina se o diodo está passando por um curto -circuito de quebra ou um circuito aberto.
2. Detecção de junção PN
Defina o Multímetro Digital no Modo de Diodo e meça a junção PN com a sonda. Se estiver conduzindo na direção direta, o número exibido será a queda de tensão direta da junção PN. Primeiro, determine os eletrodos de colecionador e emissor; Meça a queda de tensão direta de duas junções PN com uma sonda, onde o emissor tem uma queda de tensão mais alta e o coletor tem uma queda de tensão mais baixa. Ao testar duas junções, se a sonda vermelha estiver conectada ao pólo comum, o transistor testado é do tipo NPN e a sonda vermelha é conectada à base b; Se a sonda preta estiver conectada ao terminal comum, o transistor testado será do tipo PNP e este terminal é a base b. Depois que o transistor é danificado, existem duas situações para a junção PN: curto -circuito de quebra e circuito aberto.
No teste de circuito: no teste de circuito de um transistor, é realmente alcançado testando a resistência direta e reversa da junção PN para determinar se o transistor está danificado. A resistência do ramo é maior que a resistência direta da junção PN. Normalmente, deve haver uma diferença significativa na resistência à frente e reversa medida, caso contrário, a junção PN será danificada. Quando a resistência do ramo é menor que a resistência direta da junção PN, o ramo deve ser desconectado; caso contrário, a qualidade do transistor não poderá ser determinada.
3. Detecção de módulo de ponte do retificador trifásico
Tomando o módulo de ponte do retificador semikron como exemplo, como mostrado na figura anexada. Defina o multímetro digital no modo de teste de diodo, conecte a sonda preta para com e a sonda vermelha a V ω e use as sondas vermelhas e pretas para medir as características de diodo avançado e reverso entre as fases 3, 4 e 5 e os polos 2 e 1, respectivamente, para verificar e determinar se a ponte do retificador está intacta. Quanto maior a diferença nas características positivas e negativas medidas, melhor; Se as direções avançadas e reversas forem zero, indica que a fase detectada foi quebrada e curta; Se as direções avançadas e reversas forem infinitas, indica que a fase detectada foi desconectada. Se uma fase do módulo da ponte retificadora estiver danificada, ela deve ser substituída.
4. Detecção do módulo IGBT do inversor
Defina o multímetro digital no modo de teste de diodo e teste as características de diodo avançado e reverso entre os módulos IGBT C1. E1 e C2. E2, bem como entre Gate G e E1, E2, para determinar se o módulo IGBT está intacto.
